国家/地区 韩国（22） 美国（15） 世界知识产权组织（7） 中国（4） 欧洲专利局（EPO）（3） 日本（3）
IPC部 C（22） B（18） H（10）
G（2）
IPC大类 C01（22） B82（12） C23（12）
B01（10） H01（10） B32（5）
B05（2） B29（2） B41（2）
IPC小类 C01B（22） C23C（12） B01J（10）
B82Y（10） H01B（7） H01L（7）
B32B（5） B82B（4） B05D（2）
B29C（2） B41M（2）
IPC C01B031/02（22）
发明人 HONG B H（7） AHN J（5） CHOI J（3）
CHOI J Y（3） HONG B（3） KIM H（3）
LEE H（3） LEE Y H（3） SHIN H J（3）
YOO J B（3） AHN J H（2） AHN J R（2）
CHA S W（2） CHOI B（2） CHOI B L（2）
公开年 2012（10） 2013（10） 2011（2）
申请年 2011（11）  2012（9）  2010（2） 
专利权人 UNIV SUNGKYUNKWAN RES BUSINESS FOUND（22）

Graphene dot structure to form network, useful to form electrode or conductive layer in lithium ion battery or hydrogen storage apparatus comprises core of semiconductor material, and shell of graphene formed on surface of core.

LEE E, CHOI B, LEE J, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, LEE J H, WHANG D M

Producing graphene, comprises forming structures on surface of face-centered cubic metal catalyst substrate having specified orientation, and supplying hydrocarbon to substrate.

KIM K H, MAENG K S, PARK C W, CHA S W, HONG S Y, HONG B H, JUNG M H, KIM K E, PARK S B, BEOM P S, EUN K G, HUI H B, HUI J M, HYEONG K G, SEOP M G, U P C, WON C S, YEON H S

Composite, useful in composition for removing pollutant e.g. microorganism e.g. virus and bacteria in water, comprises zero-valent metal, oxide of metal or metallic component that is supported on graphene, which comprises graphene layers.

BHUNIA P, YEONG L H, LEE H

Production of reduced graphene oxide for forming grapheme film, involves mixing graphene oxide-containing solution and dispersing agent and forming graphene oxide dispersion solution, and then reducing graphene oxide.

HWA K C, HYEON L J, YEONG L H

Manufacture of oxidation graphene involves exposing ultraviolet ray exposure is exposed at wavelength of 160-200 nm,preferably 180-190 nm.

HUI H G, HUI L Y, HAN G H, LEE Y H

Manufacture of transparency graphene sheet involves depositing catalyst metal particles on transparent substrate, and growing graphene on deposited transparent substrate.

CHO S M, KIM S W, SHIN D W, YOO J B

Manufacture of graphene for graphene laminate, involves preheating graphite catalyst, chemically polishing preheated graphite catalyst and obtaining graphene from chemically polished graphite catalyst.

CHOI J Y, HAN G H, LEE Y H, SHIN H J

Method of etching atomic layer of graphene used for semiconductor device, involves adsorbing reactive radical to surface of graphene, and irradiating energy source to graphene to which reactive radical is adsorbed.

YEOM G Y, LIM W S, MIN K S, KIM Y Y, OH J S

Graphene etching apparatus comprises adsorption chamber, induction coil, buffer chamber, feeder, desorption chamber, exhaust and a graphene substrate.

LIM W S, OH J S, YEOM G

Stable graphene film for graphene transparent electrode for touch screen, comprises graphene film and conductive protective film.

AHN J H, HONG B H, YAN C, AHN J